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    汽車芯片FT測試、三溫測試;芯片可靠性測試;ATE測試

    汽車芯片FT測試、三溫測試;芯片可靠性測試;ATE測試
    更新時間:2021-06-03 14:13:20
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    芯片FT測試,三溫測試

      芯片FT測試(Final Test簡稱FT)是指芯片在封裝完成后以及在芯片成品完成可靠性驗證后對芯片進行測功能驗證、電參數測試。主要的測試依據是集成電路規范、芯片規格書、用戶手冊。

      目前芯片FT測試主要用到ATE測試系統,包括軟件和測試設備、測試硬件。

      FT測試主要測試項目如下:

      Open/Short test:檢查芯片引腳中是否有開路或短路。

      Function test:測試芯片的邏輯功能。

      DC test:驗證器件直流電流和電壓參數。

      AC test:驗證交流規格,包括交流輸出信號的質量和信號時序參數。

      Eflash test:測試內嵌flash的功能及性能,包含讀寫擦除動作及功耗和速度等各種參數。

      Mixed Signal test:驗證DUT數?;旌想娐返墓δ芗靶阅軈?。

      RF test:測試芯片里面RF模塊的功能及性能參數。

      廣州廣電計量檢測股份有限公司(GRGT)始建于1964年,是原信息產業部電子602計量站,經過50余年的發展,現已成為一家全國化、綜合性的國有第三方計量檢測機構,專注于為客戶提供計量、檢測、認證以及技術咨詢與培訓等專ye技術服務,在計量校準、可靠性與環境試驗、電磁兼容檢測等多個領域的技術能力及業務規模處于國內*水平。

      我司芯片可靠性驗證測試能力如下:

      芯片可靠性驗證(RA):

      芯片級預處理(PC)&MSL試驗、J-STD-020&JESD22-A113;

      高溫存儲試驗(HTSL),JESD22-A103;

      溫度循環試驗(TC),JESD22-A104;

      溫濕度試驗(TH/THB),JESD22-A101;

      高加速應力試驗(HTSL/HAST),JESD22-A110;

      高溫老化壽命試驗(HTOL),JESD22-A108;

      芯片靜電測試(ESD):

      人體放電模式測試(HBM),JS001;

      元器件充放電模式測試(CDM),JS002;

      閂鎖測試(LU),JESD78;

      TLP;Surge/EOS/EFT;

      芯片IC失效分析(FA):

      光學檢查(VI/OM);

      掃描電鏡檢查(FIB/SEM);

      微光分析定位(EMMI/InGaAs);

      OBIRCH;

      Micro-probe;

      ?電計量從1964年開始從事計量檢定?作,是原信息產業部電?602計量站,歷經五?余年的技術沉淀,持續變?創新,實現跨越式發展,成?為?家全國性、綜合化、軍?融合的國有第三?計量檢測機構,專ye提供計量校準、產品檢測及認證、分析評價、咨詢培訓、檢測裝備及軟件系統研發等技術服務和產品,獲得了CNAS、DILAC、CMA、CATL,以及“軍?四證”等政府和?業眾多權威機構的認可資質。

      元器件篩選業務聯系:張;

      郵 grgtest.com


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